SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開關(guān)相關(guān)的功率損耗。
與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。它們通過了100%的RG和UIS測試，符合RoHS要求且不含鹵素。
這款N-Channel MOSFET的應(yīng)用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務(wù)器和醫(yī)療設(shè)備的DC/ DC轉(zhuǎn)換器中的初級和次級側(cè)開關(guān)；用于服務(wù)器和電信設(shè)備中電壓調(diào)節(jié)的半橋功率級和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器；電信和服務(wù)器電源中的OR-ing功能；用于開關(guān)電容器或開關(guān)柜轉(zhuǎn)換器的功率級；電動工具和工業(yè)設(shè)備中的電動機(jī)驅(qū)動控制；以及電池管理模塊中的電池保護(hù)和充電。
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